高頻振蕩波（OSI）試驗(yàn)是通過直流電源給電力電纜充電。試驗(yàn)原理圖如圖所示，直流電源先對電容C1充電，當(dāng)達(dá)到預(yù)期的試驗(yàn)電壓之后，通過放電球隙給串聯(lián)電阻R2和電抗L，試品電容Cx放電，得到一個(gè)阻尼振蕩電壓。從而在試品電容上產(chǎn)生高壓Ux。
高頻震蕩波試驗(yàn)電路圖
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高頻振蕩波（OSI）試驗(yàn)是通過直流電源給電力電纜充電。試驗(yàn)原理圖如圖所示，直流電源先對電容C1充電，當(dāng)達(dá)到預(yù)期的試驗(yàn)電壓之后，通過放電球隙給串聯(lián)電阻R2和電抗L，試品電容Cx放電，得到一個(gè)阻尼振蕩電壓。從而在試品電容上產(chǎn)生高壓Ux。
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