GIS設(shè)備內(nèi)部缺陷產(chǎn)生局部放電的特征

a. 發(fā)生在導(dǎo)體周圍的電暈放電，由于氣體中的分子是自由移動的，因此GIS設(shè)備中的電暈放電過程與空氣中的電暈放電相似。

b. GIS設(shè)備中絕緣子內(nèi)部的氣隙放電在工頻正負(fù)兩個半周內(nèi)基本相同，即正負(fù)半周放電指紋基本對稱。放電脈沖一般出現(xiàn)在試驗電壓幅值絕對值的上升部分，放電頻率依賴于所加電壓大小，只有在放電強(qiáng)烈時，才一會擴(kuò)展到電壓絕對值下降部分的相位上，且每次放電的大小不相等。

c. 絕緣子表面的缺陷(如污穢等)有助于表面電荷的增加，可能會形成表面放電，導(dǎo)致絕緣子表面的絕緣劣化，甚至擊穿。

d. 自由導(dǎo)電微粒和固體導(dǎo)體上金屬突起放電的相位分布有著明顯不同。這個特征通?？梢杂脕韰^(qū)分缺陷的類型。GIS設(shè)備中自由導(dǎo)電微粒有積累電荷能力，在交流電壓作用下，靜電力可使導(dǎo)電微粒在GIS筒內(nèi)跳動，如直立旋轉(zhuǎn)、舞動運(yùn)動等。這種運(yùn)動與放電的出現(xiàn)在很大程度上是隨機(jī)的。